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互聯網世界的數據流量與日俱增，有必要建立傳輸容量更大的網絡以滿足通訊需求。傳統的光通訊技術是基於全內反射的光學現象，利用高折射率通道來傳輸光子。連續區束縛態是指一種能夠與諸多連續波共存而不會有輻射損耗的傳輸模式。在集成光路中利用連續區束縛態，能夠在高折射率物料上產生低折射率通道，減低加工複雜程度及成本，卻仍保持光導低損耗。
本項研究利用連續區束縛態技術製作芯片，把相關槪念應用於無刻蝕鈮酸鋰平台上，成功利用低折射率通道傳輸光子，實現芯片上低損耗光通訊，不再需要依靠開發高折射率聚合物或蝕刻底基等高成本的方法去製作高折射率光導通道。為了進一步提升數據傳輸能力，我們亦探討透過光復用技術，讓不同數據在同一通道內互不干擾地傳輸。這個設計的高階連續區束縛態可用於平面鈮酸鋰底基上，利用通道內不同的空間模式實現了模分復用，印證了將連續區束縛態用於高容量光通信的可行性。借助這項新技術，我們可以在鈮酸鋰平台上實現每波長光載波160 Gb/s的總數據傳輸率。
