Print the page
高效激光隱形切割半導體晶片系統
在傳統的工業技術上，半導體晶片是以刀片或激光消融的方法來進行切割的，原理是把切割路徑中的材料機械地去除或粉碎，導致產生碎屑，污染或損壞晶片等問題。中大研究團隊研發出創新的高速隱形激光切割系統 (SLD)，基於脈衝貝塞爾光束，同時進行多深度半導體晶片切割。
隱形切割是指利用激光聚焦在半導體晶圓內部，晶圓内部形成變質層，通過擴展膠膜以將其分割成晶粒的切割法。此方法能達致更好的分辨率，以及更高精度和速度。此外，隱形切割不但能增強切割的兼容性，而且能把對晶圓的污染和損壞減至最低。
為什麼用貝塞爾光束？
貝塞爾光束是一種「非衍射」光束，其橫向強度分佈不隨其傳播而變化，使其成為激光切割的理想激光束。我們利用納秒和飛秒激光器，並以多個貝塞爾光束同時進行激光切割，而且貝塞爾光束能一次性產生更大範圍的變質層，使激光切割更高效。
應用：
激光切割、 半導體晶圓切割、 藍寶石開槽、模切、MEMS製造
目標用戶：
半導體器件/芯片製造商
